FZ Silicon Wafer Semiconductor
Kuvaus FZ-piikiekko on erittäin puhdas piikiekko, jota käytetään yleisesti puolijohdeteollisuudessa. FZ tarkoittaa Float Zonea, joka on menetelmä yksikidepiin kasvattamiseen. FZ-prosessin aikana piisauva ripustetaan pystysuoraan korkean lämpötilan uuniin, ja...
Kuvaus
Kuvaus
FZ-piikiekko on eräänlainen erittäin puhdas piikiekko, jota käytetään yleisesti puolijohdeteollisuudessa. FZ tarkoittaa Float Zonea, joka on menetelmä yksikidepiin kasvattamiseen.
FZ-prosessin aikana piisauva ripustetaan pystysuoraan korkean lämpötilan uuniin, ja sula vyöhyke luodaan kuumentamalla pieni osa sauvasta. Sula vyöhyke siirtyy sauvan pituutta pitkin, ja jäähtyessään se jähmettyy yhdeksi kiteeksi. Prosessi toistetaan useita kertoja, kunnes tangon koko pituus on muunnettu yhdeksi kiteeksi.
FZ-piikiekkojen puhtausaste on erittäin korkea, ja epäpuhtaudet ovat tyypillisesti alle yksi miljardiosa. Tämä puhtaus tekee niistä ihanteellisia käytettäviksi korkean suorituskyvyn elektronisissa laitteissa, kuten mikroprosessoreissa, muistisiruissa ja aurinkokennoissa. FZ-kiekkoja käytetään myös tieteellisessä tutkimuksessa ja korkean suorituskyvyn antureiden ja ilmaisimien valmistuksessa.
Erittely
| Halkaisija | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" |
| Kasvumenetelmä | FZ | |||||
| Suuntautuminen | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > | |||||
| Tyyppi/Dopantti | Sisäinen, N-tyyppi/Phos, P-tyyppi/boori | |||||
| Paksuus (um) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 |
| Paksuustoleranssi | Vakio ± 25um | ±50um | ||||
| Resistanssi (ohm-cm) | 1000-20000, Maximum Capabilities>20000 ja 1-5 | |||||
| Pinta valmis | P/E , P/P, E/E, G/G | |||||
| TTV (um) | Vakio< 10 um | |||||
| Jousi/loimi (um) | Vakio<40 um | |||||

Suositut Tagit: fz piikiekkopuolijohde
Lähetä kysely
Saatat myös pitää
