FZ Silicon Wafer Semiconductor

FZ Silicon Wafer Semiconductor

Kuvaus FZ-piikiekko on erittäin puhdas piikiekko, jota käytetään yleisesti puolijohdeteollisuudessa. FZ tarkoittaa Float Zonea, joka on menetelmä yksikidepiin kasvattamiseen. FZ-prosessin aikana piisauva ripustetaan pystysuoraan korkean lämpötilan uuniin, ja...

Kuvaus

 

Kuvaus

FZ-piikiekko on eräänlainen erittäin puhdas piikiekko, jota käytetään yleisesti puolijohdeteollisuudessa. FZ tarkoittaa Float Zonea, joka on menetelmä yksikidepiin kasvattamiseen.

FZ-prosessin aikana piisauva ripustetaan pystysuoraan korkean lämpötilan uuniin, ja sula vyöhyke luodaan kuumentamalla pieni osa sauvasta. Sula vyöhyke siirtyy sauvan pituutta pitkin, ja jäähtyessään se jähmettyy yhdeksi kiteeksi. Prosessi toistetaan useita kertoja, kunnes tangon koko pituus on muunnettu yhdeksi kiteeksi.

FZ-piikiekkojen puhtausaste on erittäin korkea, ja epäpuhtaudet ovat tyypillisesti alle yksi miljardiosa. Tämä puhtaus tekee niistä ihanteellisia käytettäviksi korkean suorituskyvyn elektronisissa laitteissa, kuten mikroprosessoreissa, muistisiruissa ja aurinkokennoissa. FZ-kiekkoja käytetään myös tieteellisessä tutkimuksessa ja korkean suorituskyvyn antureiden ja ilmaisimien valmistuksessa.

Erittely

Halkaisija 2"  3"  4"  5"  6"  8" 
Kasvumenetelmä FZ
Suuntautuminen < 1-0-0 > , < 1-1-1 > 
Tyyppi/Dopantti Sisäinen, N-tyyppi/Phos, P-tyyppi/boori
Paksuus (um) 279 380 525 625 675 725
Paksuustoleranssi Vakio ± 25um ±50um
Resistanssi (ohm-cm) 1000-20000, Maximum Capabilities>20000 ja 1-5
Pinta valmis P/E , P/P, E/E, G/G
TTV (um) Vakio< 10 um
Jousi/loimi (um) Vakio<40 um

FZ Silicon Wafer Semiconductor

 

 

 

 

 

 

Suositut Tagit: fz piikiekkopuolijohde

Saatat myös pitää

Ostoskassit