Piikarbidin valmistusprosessi

Alhaisen luonnonpitoisuuden vuoksi piikarbidi on enimmäkseen{0}} ihmisen valmistamaa. Yleinen menetelmä on sekoittaa kvartsihiekkaa koksiin, käyttää siinä piidioksidia ja öljykoksia, lisätä suolaa ja sahanpurua, laittaa sähköuuniin, lämmittää noin 2000 asteen korkeaan lämpötilaan ja saada piikarbidimikrojauhetta erilaisten kemiallisten prosessien jälkeen.

Piikarbidi (SiC) on tärkeä hioma-aine suuren kovuutensa vuoksi, mutta sen käyttöalue ylittää tavallisten hioma-aineiden. Esimerkiksi sen korkea lämmönkestävyys ja lämmönjohtavuus tekevät siitä yhden suosituimmista uunikalustemateriaaleista tunneliuuneissa tai sukkulauuneissa, ja sen sähkönjohtavuus tekee siitä tärkeän sähkölämmityselementin. Piikarbidituotteiden valmistuksessa ensimmäinen askel on valmistaa piikarbidisulatuslohkoja [tai: SiC-pellettejä, koska ne sisältävät C:tä ja ovat superkovia, joten piikarbidipellettejä kutsuttiin aikoinaan: smirgeliksi. Mutta varokaa: sen koostumus on erilainen kuin luonnollisella smirgelillä (granaatti). Teollisessa tuotannossa piikarbidin sulatuslohkoissa käytetään yleensä raaka-aineina, apukeräysmateriaaleina ja käytettyinä materiaaleina kvartsia, maaöljykoksia jne., ja ne valmistetaan panokseksi kohtuullisella suhteella ja sopivalla hiukkaskoolla jauhamalla ja muilla prosesseilla (panoksen kaasunläpäisevyyden säätämiseksi on tarpeen lisätä sopiva määrä Sahanpurua valmistetaan lisäämällä sopiva määrä korkea lämpötila karbbidia lisäämällä). Lämpölaitteisto piikarbidin sulatuslohkojen valmistukseen korkeassa lämpötilassa on erityinen piikarbidi sähköuuni, ja sen rakenne koostuu uunin pohjasta, päätyseinästä, jonka sisäpinnalla on elektrodeja, irrotettavasta sivuseinästä ja uunin ydinrungosta (koko nimi: jännitteinen jauheen lämmityskappale, joka on asennettu sähköuunin keskelle, yleensä se koostuu koksi tai petrografiitin mukaan muoto ja koko, yleensä pyöreä tai suorakulmainen sen kaksi päätä on yhdistetty elektrodeilla) ja niin edelleen. Sähköuunissa käytetty polttomenetelmä tunnetaan yleisesti nimellä: haudattu jauhepoltto. Heti kun se kytketään päälle, lämmitys alkaa. Uunin ydinrungon lämpötila on noin 2500 astetta tai jopa korkeampi (2600-2700 astetta). Kun varaus saavuttaa 1 450 astetta, piikarbidia alkaa syntetisoitua (mutta piikarbidia muodostuu pääasiassa yli 1 800 asteen lämpötilassa) ja CO vapautuu. Piikarbidi kuitenkin hajoaa, kun se on suurempi tai yhtä suuri kuin 2600 astetta, mutta hajotettu Si muodostaa piikarbidia C:n kanssa varauksessa. Jokainen sähköuunien ryhmä on varustettu muuntajasarjalla, mutta vain yhdelle sähköuunille syötetään tehoa tuotannon aikana, jotta jännitettä voidaan säätää sähkökuormitusominaisuuksien mukaan periaatteessa vakiotehon ylläpitämiseksi. Tehokas sähköuuni on lämmitettävä noin 24 tuntia. Jäähdytyksen jälkeen sivuseinät voidaan poistaa, ja sitten varaus poistetaan vähitellen.

Panos korkean lämpötilan kalsinoinnin jälkeen on ulkoa sisälle: reagoimaton materiaali (uunissa lämmön säilyttämiseksi), piioksikarbidi (puolireagoitunut materiaali, pääkomponentit ovat C ja SiO), liimakerros (se on erittäin tiukasti sidottu). materiaalikerros, pääkomponentit ovat C, SiO2, 40 %-60 % SiC ja Fe, Al, Ca, Mg karbonaatit), amorfinen kerros (pääkomponentti on 70 %-90 % SiC, ja se on kuutioinen piikarbidi eli -sic, loput ovat C, A, SiO2 karbonaatteja ja Feg, Si1-2-gradia). pääkomponentti on 90–95 % piikarbidia, tämä kerros on muodostanut kuusikulmaista piikarbidia, mutta kide on suhteellisen pieni, erittäin hauras, sitä ei voida käyttää hankaavana, ensimmäisen luokan piikarbidia ((SiC-pitoisuus<96%, and is hexagonal SiC, i.e., a coarse crystal of SiC), furnace core graphite. In the above-mentioned layers, usually untreated The reaction material and a part of the silicon oxycarbide layer material are collected as spent materials, and another part of the silicon oxycarbide layer is collected together with the amorphous material, secondary products, and part of the binder as the return material, while some are tightly bonded and lumpy. The binders with high℃and many impurities are discarded, while the first-grade products are classified, coarsely crushed, finely crushed, chemically treated, dried and sieved, and magnetically separated into black or green SiC particles of various particle sizes. To make silicon carbide micropowder, it has to go through the water selection process; to make silicon carbide products, it has to go through the process of forming and sintering.