Piikarbidi SiC 1-5mm

Piikarbidi (SiC) on synteettinen yhdiste, joka koostuu piistä ja hiilestä. Se on erittäin kestävä ja kova materiaali, jolla on erinomainen lämmönjohtavuus, korkea sulamispiste ja korkea sähkönjohtavuus. Piikarbidia tuotetaan korkean lämpötilan ja paineen yhdistelmällä. Yleisin menetelmä piikarbidin tuottamiseksi on Acheson-prosessi, joka sisältää seuraavat vaiheet:

Raaka-aineen valmistelu: Piikarbidin valmistuksen raaka-aineita ovat kvartsihiekka ja maaöljykoksi. Nämä materiaalit valitaan huolellisesti ja sekoitetaan halutuissa suhteissa. Muita materiaaleja, kuten sahanpurua tai suolaa, voidaan myös lisätä parantamaan lopputuotteen huokoisuutta.

Uunin lataus: Raaka-aineet ladataan sähkövastusuuniin, joka on vuorattu hiilitiileillä. Uuni kuumennetaan noin 2200 asteen lämpötilaan, jolloin koksissa oleva hiili reagoi piidioksidin kanssa muodostaen piikarbidia.

SiC:n muodostuminen: Uunin lämpötilan noustessa hiilen ja piidioksidin välinen reaktio voimistuu ja piikarbidikiteitä alkaa muodostua. SiC-kiteet kasvavat reaktion edetessä, ja lopulta muodostuu kiinteä piikarbidimassa.

Murskaus ja seulonta: Kiinteä piikarbidimassa murskataan ja seulotaan haluttuun kokoon. Piikarbidin rakeiden koko voi vaihdella käyttötarkoituksen mukaan.

Kemiallinen käsittely: Piikarbidirakeita voidaan käsitellä kemiallisesti niiden laatuun mahdollisesti vaikuttavien epäpuhtauksien poistamiseksi. Käsittely voi sisältää hapon, alkalin tai muiden kemikaalien käytön.

Pakkaus ja varastointi: Lopullinen SiC-tuote pakataan sitten sopiviin säiliöihin ja varastoidaan kuivassa, hyvin ilmastoidussa tilassa, kunnes se on valmis lähetettäväksi.